IRF3205S MOSFET de Potencia N 55V 110A D2PAK

INFORMACIÓN El IRF3205S MOSFET de Potencia Canal N esta diseñado para conmutar y amplificar señales de alta potencia, cuenta con un voltaje drain-source mínimo de 55V a una corriente máxima de drain de 110A. El IRF3205S MOSFET de Potencia es ideal para aplicaciones como control de motores, fuentes conmutadas, sistemas de carga, conversores DC/AC y en general para cualquier aplicación que requiera una conmutación rápida y eficiente de altas corrientes y/o altas tensiones. ¡Consulta Aquí y descubre cómo nuestros transistores pueden impulsar el éxito de tus creaciones!. ESPECIFICACIONES Y CARACTERÍSTICAS Matrícula: IRF3205S Encapsulado: D2PAK (TO-263) Tipo: Canal N Voltaje: VDS: 55 V VGS:   4V Corriente: ID: 110A IDM: 390 A IGS: ±100 nA IDS: 25 µA Disipación Total de Potencia: 200 W Factor de Disipación Lineal: 1.3 W/°C Montaje: SMD Pines: 3 Temperatura de trabajo: -55°C a 175°C Dimensiones: 10.10 x 15.40mm Peso: 1.42 g SUSTITUTO Similares: IRF1405S, IRF1405SPBF, IRF2805SPBF, IRF3205S, IRF3205SPBF, IRF3205STRLPBF, AUIRF2805S, AUIRFS3306, CMB1405. Nota: Los siguientes transistores son recomendaciones de sustitutos, recuerde siempre revisar el Datasheet de estos para confirmar que son adecuados a sus requerimientos. DOCUMENTACIÓN Y RECURSOS Datasheet Pinout Dimensiones INFORMACIÓN ADICIONAL El IRF3205S típicamente se instala en un disipador de calor debido a la disipación de potencia generada durante la operación. Se debe tener en cuenta que estos valores son los máximos absolutos (voltaje, corriente y potencia), y operar el transistor dentro de esta gama no garantiza el funcionamiento óptimo ni la longevidad. Por lo general, se diseña un circuito para mantener el transistor dentro de un rango de operación más seguro y bien por debajo de estos límites máximos. Para un rendimiento de larga duración, opere el transistor IRF3205S un 20 % por debajo de sus clasificaciones máximas absolutas. ENLACES EXTERNOS Fuente Conmutada con IRF3205 – Video