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Mosfet N 100v 10A SMD FQD13N10LTM, encuentra más transistores Aquí.
ESPECIFICACIONES Y CARACTERÍSTICAS
Transistor Mosfet N
Tipo de FET: Canal N
SMD/SMT
Paquete: TO-252-2(DPAK)
Voltaje de drenaje (Vdss): 100V
Corriente drenaje (Id): 10A
Vgs (th) (Máx.) @ Id: 2V @ 250uA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mΩ @ 5A,10V
Potencia de disipación: 2.5W
RoHS: Libre de plomo
DOCUMENTACIÓN Y RECURSOS
Datasheet
Footprint